化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing，CMP）技术是能实现集成电路（IC）制造中晶圆表面全局平坦化的目前唯一技术，可达到原子级超高平整度，效果影响到芯片最终的质量和成品率。
按照被抛光的材料类型，具体可以划分为三大类：
衬底：主要是硅材料；
金属：包括Al/Cu金属互联层，Ta/Ti/TiN/TiNxCy等扩散阻挡层、粘附层；
介质：包括SiO2/BPSG/PSG等ILD（层间介质），Si3N4/SiOxNy等钝化层、阻挡层。
在CMP工作过程中，CMP用的抛光液中的化学试剂将使被抛光基底材料氧化，生成一层较软的氧化膜层，然后再通过机械摩擦作用去除氧化膜层，这样通过反复的氧化成膜-机械去除过程，从而达到了有效抛光的目的。
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