碳化硅衬底生产加工主要难点：

1. 长晶速度很慢，7 天的时间大约可生长2cm 碳化硅晶棒；

2.  对压力和温度的要求高，其生长温度在2300℃以上；

3. 对晶型要求高，只有几种晶体结构的单晶型碳化硅才可作为半导体材料；

4. 切割磨损高，由于碳化硅的硬度大，切割时加工难度较高且磨损多。时间成本和复杂的加工工艺使得碳化硅衬底的成本高，晶片尺寸越大，对应晶体的生长与加工技术难度越大，限制了碳化硅的应用。