什么是CMP工艺？

CMP（化学机械抛光/平面化）是一种高度精确的抛光工艺。它结合了两个特定的动作。首先，该方法通过化学试剂改变基材的化学性质。同时，经过高度设计的磨料颗粒正在进行机械处理。
工艺性能专家建议对要求苛刻的半导体应用进行化学机械平面化处理。确实，该过程具有非凡的特性：

高精度：我们获得的存储在设备上的数据越多，设计就越精确。存储设备通常由连续的层沉积产生。这些层非常薄，必须完全平整并具有完美的表面光洁度。有几种方法可以帮助测量表面光洁度，例如“峰谷”。实际上，PV是抛光表面上最高点和最低点之间的高度差的量度。半导体的最新技术要求PV低至Angstrom级别（10 ^-10m）。

快速使用：CMP是涉及多个基板抛光的多步骤过程。目的是优化每个步骤的持续时间。然而，保持高精度抛光工艺仍然是必不可少的。每一步已经持续了不到一分钟！