化学机械抛光（CMP）是任何SEMI硅晶圆厂不可或缺的一部分。使用光刻和薄膜沉积制成的集成电路始终采用CMP来实现所需的基板和沉积层平面性。 CMP抛光液通常由分散在化学反应溶液中的纳米级磨料粉组成。在化学蚀刻使材料变软的同时，机械磨损会去除材料，从而使形貌特征变平坦并使表面平坦。仅化学蚀刻是各向同性的，不会使表面形貌平坦，而机械磨蚀会使表面变平坦，但会引入表面缺陷。适当设计的CMP工艺可以实现平面度，而不会引入表面缺陷。

 

磨料颗粒的尺寸分布是CMP浆料中的关键设计参数，会影响关键指标，例如材料去除率和表面缺陷。另一个重要参数是抛光液中颗粒的分散/聚集。附聚的颗粒的行为类似于超大颗粒，从而在抛光过程中导致表面损坏。

 

CMP磨料颗粒的典型尺寸范围是10-250纳米。几种粒度分析技术能够以不同的精度和精度来测量此范围内的粒度。激光衍射，动态光散射和小角度X射线散射是在此尺寸范围内提供高精度和高精度的关键技术。

 

聚集可能会导致尺寸最大为10微米的超大聚集体，数量通常在ppm范围内。可以使用ζ电位确定针对颗粒聚集的抛光液稳定性。可以使用光散射或成像技术检测超大颗粒的存在。