嘉荣氮化镓抛光液经过专门设计，可优化GaN晶片的化学机械平面化（CMP）的抛光工艺，是一种正在申请专利的纳米磨料浆，可将总处理时间减少一半以上。利用我们广泛的材料平台和配方专业知识，嘉荣设计了一种浆料，该浆料将高材料去除率（MRR）与出色的表面光洁度相结合，可用于具有挑战性的GaN晶圆抛光应用。

嘉荣浆料通过将表面粗糙度降低到小于2埃，完全消除了晶圆整个表面上的划痕和点蚀。 在2英寸和4英寸GaN晶圆上均可实现EPI表面。

浆料具有出色的材料去除率，是同类产品的四倍，并且对次表面的损害较小。

嘉荣氮化镓抛光液优势：

出色的抛光速度

优异的表面光洁度（<2埃），无划痕或凹陷

非常稳定的分散性能

即用型浆料

质量稳定

整个晶圆表面均一的表面质量